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光电子综合实验仪(JJ2023001106)采购公告

基本信息
项目名称 省份
业主单位 业主类型
总投资 建设年限
建设地点
审批机关 审批事项
审批代码 批准文号
审批时间 审批结果
建设内容
项目名称:光电子综合实验仪
项目编号:JJ2023001106
采购单位:南开大学
联系人: 中标后在我参与的项目中查看
联系电话:中标后在我参与的项目中查看
签约时间要求:
到货时间要求:
预算总价:
收货地址:南开大学八里台校区综合实验楼A103
供应商资质要求:符合《政府采购法》第二十二条规定的供应商基本条件

采购商品:光电子综合实验仪
采购数量:3
计量单位:套
技术参数及配置要求:1、多功能实验仪器台:790X650X250mm钣金台体
2、电源线:带漏电保护功能,有效保证人生安全
3、导轨,长度75cm,便于结构搭建以及扩展;
4、提供精密线性稳压电源:提供±12V, ±5V,+5V两路,0~+12V,0~200V,0~-1000V;
提供温控仪:温度控制范围:室温-10℃~80℃,温度控制精度:1℃;
提供7寸触控屏,屏显可见光光功率指示仪:200uW/2mW/20mW/200mW四档量程自动切换,标定波长:650nm;
光照度计:200ux/2kLux/20kLux/200kLux四档量程自动切换;
电压表:200mv/2v/20v/2000v四档量程自动切换;
电流表:200uA/2mA/20mA/200mA四档量程自动切换;提供OLED精密电流表:6档量程自动切换,精度1nA
5、238X138X40mm模块保护装置;提供负载模块:包含自组电路常用元器件
6、提供多种光电器件,含光敏电阻:亮电阻:10~20KΩ;硅光电池:光敏面积:10×10mm,峰值波长:800nm,开路电压(100Lx):≥300mV,短路电流(100Lx):≥10uA红外发射二极管:正向压降:1.4V,额定电流I:10μA,发射波长:940nm光电二极管:峰值波长(λp):880nm光电三极管:峰值波长(λp):880nm;PIN光电二极管:工作电压:10~40V,峰值波长(λp):880nm,外形封装:TO型,光敏面积:0.2mm;APD光电二极管:工作电压:100~150V,峰值波长(λp):880nm,外形封装:TO型,光敏面积:0.2mm;光电倍增管:光谱响应范围:300~700nm,最大响应波长:420nm;光源:白、红、橙、黄、绿、蓝、紫七色切换,静态驱动和脉冲驱动;四象限探测器:光敏面直径:4mm,光谱响应范围: 400~1100nm光敏面积:6mm*6mm,光谱响应范围:400~1100nm;PSD位移测试系统设计:光源:650nm半导体激光器带准直,一维PSD:光敏区:1mm×8mm;光谱范围:380-1100nm,PSD位移支架:13mm移动距离,分辨率0.01mm;热释电报警器设计:热释电传感器:灵敏元面积:2.0×1.0mm2,工作波长:7-14μm,工作电压:2.2-15V,工作电流:8.5-24μA,菲涅尔透镜:感应角度:89°,报警指示:;光电耦合开关里程表设计::反射式光电耦合器:工作电流:20mA,正向压降:1.5V,PWM转速调节;光电测距传感器:工作电压:5V,测量距离:10-80cm;太阳能电池板:5V/100Ma;线阵CCD:TCD1200D:像敏单元数目:2160 像元,像敏单元大小:14 μm×14 μm×14 μm(相邻像元中心距为14 μm);面阵CCD:彩色,有效像素:512*582,电子快门:1/50~1/10000秒,二值化测量精度:±1像素;面光源,有效发光面积40mm×60mm;半导体激光器:650nm,5mW
7、镜头:手动光圈,手动对焦,焦距:50mm,最大光圈:F1.7,膜层:多层增透膜,卡口:MD
8、数据采集模块及相关程序。软件可实现光电追踪、测距以及定向功能,FFT-预处理功能,具备完整的算法过程演示、算法分析和调试等功能,通过配置参数,可实现不同参数条件下的算法自动运行、运行过程显示、实验数据统计和实验结果图表生成;能够进行图像处理,完成线阵以及面阵CCD的各种测量实验,
9、虚拟仪器软件设计,包含labview以及VC的数据采集源程序以及程序接口。
10、微弱光发生与检测装置,T型光路结构,200*100mm,直径44mm,大大提高测试过程的方便性,减小测量误差。
11、包含CPLD以及单片机软硬件设计模块
12、数据采集接口:USB2.O接口
13、信号源:正弦波、三角波、方波
14、半导体激光器:650nm,5mW带准直
15、手动平移台:移动距离0-50mm,精度1/100mm
16、提供多种光电器件及其虚拟仿真模块,含光敏电阻:亮电阻:10~20KΩ;硅光电池:光敏面积:10×10mm,峰值波长:800nm,开路电压(100Lx):≥300mV,短路电流(100Lx):≥10uA红外发射二极管:正向压降:1.4V,额定电流I:10μA,发射波长:940nm光电二极管:峰值波长(λp):880nm光电三极管:峰值波长(λp):880nm;PIN光电二极管:工作电压:10~40V,峰值波长(λp):880nm,外形封装:TO型,光敏面积:0.2mm;APD光电二极管:工作电压:100~150V,峰值波长(λp):880nm,外形封装:TO型,光敏面积:0.2mm,电容电压虚拟仿真模块
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