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清华大学中子嬗变掺杂区熔单晶硅片公开招标公告(第2次)

基本信息
项目名称 省份
业主单位 业主类型
总投资 建设年限
建设地点
审批机关 审批事项
审批代码 批准文号
审批时间 审批结果
建设内容
项目概况
中子嬗变掺杂区熔单晶硅片 招标项目的潜在投标人应在网上登记报名网址 http://sbcgczxxfb.sysc.tsinghua.edu.cn获取招标文件,并于2023年01月05日 09点00分(北京时间)前递交投标文件。
一、项目基本情况
项目编号:清设招第2022154号
项目名称:中子嬗变掺杂区熔单晶硅片
预算金额:245.0000000 万元(人民币)
最高限价(如有):245.0000000 万元(人民币)
采购需求:
 
包号
名称
数量
是否允许进口产品投标
01
六英寸中子嬗变掺杂区熔单晶硅片
3000片


设备用途介绍 :高阻区熔单晶硅衬底材料是研发和制造高功率半导体器件的关键核心材料,广泛用于IGBT、IGCT、SCR等大功率器件的研发和生产。
简要技术指标 :1直径:150±0.1mm;2、单晶生长方式:区熔 3、掺杂方式:NTD中子嬗变4、电阻率:700Ω.cm,电阻率均匀性:片内不均匀性≤±5%,批次内片间不均匀性≤±5%;能在不提高价格的前提下配合需求端挑选更高均匀性的材料进行供应更佳。5、厚度:1000±10um。
合同履行期限:交货时间:合同签订后3个月内。
本项目( 不接受  )联合体投标。
二、申请人的资格要求:
1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定;
2.落实政府采购政策需满足的资格要求:
扶持小微企业、监狱企业、残疾人福利性企业发展,优先采购节能产品、环境标志产品等
3.本项目的特定资格要求: 1)通过“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)和中国政府采购网(www.ccgp.gov.cn)查询信用记录(截止时点为投标截止时间),被列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单的供应商,没有资格参加本项目的采购活动; 2)不接受联合体投标; 3)单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商,不得同时参加同一包号的政府采购活动; 4)为某一包号提供整体设计、规范编制或者项目管理、监理、检测等服务的供应商,不得再参加该包的其他采购活动;
三、获取招标文件
时间:2022年12月15日  至 2022年12月22日,每天上午8:00至12:00,下午12:00至16:30。(北京时间,法定节假日除外)
地点:网上登记报名网址 http://sbcgczxxfb.sysc.tsinghua.edu.cn
方式:在线登记获取招标文件,经审核后,下载电子版招标文件
售价:¥0.0 元,本公告包含的招标文件售价总和
四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点
提交投标文件截止时间:2023年01月05日 09点00分(北京时间)
开标时间:2023年01月05日 09点00分(北京时间)
地点:北京市海淀区清华大学华业大厦实验室处1区5层第3评标室(清华大学东南门东侧,无须办理入校手续)。
五、公告期限
自本公告发布之日起5个工作日。
六、其他补充事宜
七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称:清华大学     
地址:北京市海淀区清华园华业大厦1区5层        
联系方式:登录即可免费查看 登录即可免费查看 yangjingsbc@tsinghua.edu.cn      
2.项目联系方式
项目联系人:杨老师
电 话:  登录即可免费查看
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